清华新闻网11月28日电 11月22日，美国泛林集团（Lam Research Corporation）执行副总裁兼首席技术执行官理查德·戈奇奥（Richard Gottscho）等一行4人访问了清华，清华大学党委常务副书记、副校长姜胜耀在工字厅会见了来宾。

会谈中，姜胜耀对理查德·戈奇奥一行的到来表示欢迎，对双方多年的合作基础表示肯定。姜胜耀表示，国际交流是清华大学国际化战略规划中的重要组成部分，与泛林集团的深度合作将会助力清华的国际化发展。

理查德·戈奇奥表示，泛林集团与清华合作基础深厚，除了技术合作与人才培养，双方还将进一步拓宽合作领域，推动合作关系进入新阶段，共同为人类发展做出贡献。

姜胜耀等与泛林集团来宾合影。

随后理查德·戈奇奥在清华大学信息技术大楼给同学们做了题为“在原子尺度上制造半导体器件”（Creating Semiconductor Devices at the Atomic Scale）的报告，图文并茂地介绍了集成电路制造过程中利用薄膜的沉积和刻蚀等工艺来实现原子尺度半导体器件，与大家共同探索了在原子尺度上制备半导体器件所涉及到的化学和物理机制，他还展望了未来芯片技术的发展。 

理查德·戈奇奥报告现场。

为鼓励清华大学研究生从事半导体设备技术研发，助力清华大学培养卓越的半导体科技人才，泛林集团于2013年起在清华大学微电子与纳电子学系设立泛林论文奖学金。目前，已有85名优秀研究生获得该奖学金，其中，获奖者的论文均在国际高水平期刊或有影响力会议上发表。

会上，理查德·戈奇奥还为今年获得泛林论文奖学金的17名同学颁奖。颁奖之后，理查德·戈奇奥与获奖研究生座谈，获奖同学介绍了自己的研究成果，理查德·戈奇奥也分享了自己在研究过程中的心得体会。 

泛林集团来宾、微纳电子系教师代表和获奖同学合影。

供稿：微电子和纳电子学系 编辑：华山